2021年11月，東莞記憶存儲科技有限公司榮獲“創新東莞科學技術獎評選辦公室”頒發的“2021創新東莞科學技術獎”一等獎。

“大容量存儲芯片的超薄多晶體堆疊封測工藝的研發和産業化”項目圍繞移動終端設備邏輯存儲芯片封裝測試領域，以多疊層固晶技術和金/銀/銅線引線鍵合技術為核心技術，兼具高端邏輯芯片SOC封裝測試工藝技術，構建一個具備封裝産品設計能力和工藝研究能力的平台。其中，記憶實現了3D晶圓加工工藝開發，尤其是成功導入先進的環切工藝+隐形切割+冷熱擴張工藝，達到國際一流水平，實現核心關鍵技術國産化，可替代進口。

本次記憶榮獲由東莞市科技局及東莞市高新技術産業協會評選的科學進步獎一等獎，代表社會公衆對封測團隊的鼓舞和肯定，是近十年匠心沉澱積累的成果，是全體記憶人智慧的結晶。